Транзистор польовий MOSFET IPP65R150CFD (Original) PLS-00-00126075

Специфікація

Тип транзистора: MOSFET

   Полярність: N

   Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 195.3 W

   Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 650 V

   Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V

   Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4.5 V

   Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 22.4 A

   Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

   Час зростання (tr): 7.6 ns

   Вихідна ємність (Cd): 110 pf

   Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

   Тип корпусу: TO-220

Важлива примітка: Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce - 650 V
Сумісні партномери: 65F6150, IPP65R110CFDA, 65F6110A, IPP65R150CFDA, 65F6150A, IPP65R110CFD, 65F6110, OSG65R125PF, OSG65R125P, STP40N65M2, 40N65M2, TPP65R070D, 65R070D, TPP65R075DFD, 65R075DFD, TPP65R120M, 65R120M, IPP65R045C7, 65C7045, IPP65R074C6, 65C6074, IPP65R099C6, 65C6099, WMK36N65C4