IGBT-транзистор YGQ100N65FP (Original) PLS-00-00126089

Специфікація

   Тип транзистора: IGBT + Diode

   Тип керуючого каналу: N

   Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 500

   Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 650

   Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20

   Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 200

   Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.75

   Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 5

   Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175

   Час наростання типовий (tr), nS: 130

   Ємність колектора типова (Cc), pf: 370

   Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 135

   Тип корпусу: TO247-PLUS