IGBT-транзистор G60T60AN3H (Original) PLS-00-00106908

Тип корпусу: TO-3PN

Тип керуючого каналу: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 403

Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600

Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20

Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 120

Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.85

Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7

Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150

Час наростання типовий (tr), nS: 124

Ємність колектора типова (Cc), pf: 224

Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 117