IGBT-транзистор FGA50T65SHD (Original) PLS-00-00126088

Корпус TO-3PN

Структура IGBT + Diode

Схема з'єднання Одиночний

Макс. напруга колектор-емітер 650 V

Напруга затвор - емітер ±20 V

Макс. струм колектора (25 ° C) 100 А

Макс. струм колектора (100 ° C) 50 А

Макс. постійний струм діода (25 ° С) 60 А

Макс. постійний струм діода (100 ° С) 30 А

Час відновлення діода (25 ° С / tmax) 34.6 / 197 нс

Потужність розсіювання при 25°C 319 Вт