IGBT-транзистор FGA25N120ANTD (Original) PLS-00-00126127

Специфікація

   Тип транзистора: IGBT + Diode

   Тип керуючого каналу: N

   Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 312

   Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 1200

   Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20

   Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 50

   Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 2

   Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7.5

   Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150

   Час наростання типовий (tr), nS: 60

   Ємність колектора типова (Cc), pf: 130

   Загальний заряд (Qg), typ, nC: 200

   Тип корпусу: TO3P